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集成电路高端制成用电子级溴化氢(HBr)的研发 发布时间: 2024-06-19
技术需求名称 集成电路高端制成用电子级溴化氢(HBr)的研发
行业 电子信息 行业属性 硬件/数码
所属行业领域 自动化元件 所属行业专项 自动化元件
购买方式 技术转让
技术难题和攻关内容 1、超纯电子级溴化氢(HBr)的纯化技术。拟采用双塔精馏,塔1设定为轻组分精馏塔,将N2、H2、O2等轻组分杂质气体降低到标准值以内,塔2设定为重组分精馏塔,使溴化氢产品中重组分气体杂质以及金属杂质降低到标准值以内。然后经过外循环增压装置,完成溴化氢的钢瓶充装。 技术参数:HBr纯化系统:经过纯化后的HBr介质达到以下要求: 纯度>5.5N,CO2<0.3ppm,CO<0.3ppm,CH4<0.3ppm,N2<0.3ppm,O2/Ar<0.3ppm,H2O<1ppm,H2<10ppm,HCl<0.5ppm,Fe<5ppb,Ca<0.1ppb,Co<0.5ppb,Cr<1ppb,Cu<0.5ppb,Ni<1ppb,Na<1ppb,Zn<0.5ppb,Mg<1ppb,Al<3ppb,Mn<1ppb,Pb<5ppb。 2、超纯电子级溴化氢(HBr)的分析技术。拟运用GC、FTIR对产品中气体杂质控制结果进行检测,运用ICP-MS对产品中金属离子含量进行分析。 3、超纯电子级溴化氢(HBr)的纯化装置以及超净包装容器的制造技术。采用纯镍材料制造超纯电子级溴化氢(HBr)的纯化装置以及超净包装容器,最大程度减小HBr对容器的腐蚀,以减小杂质离子对产品的污染。其间需要攻克纯镍材料的污染控制、焊接、机械抛光、机械研磨,以及电解抛光等难题,最终制造出符合技术要求的产品。技术参数:主体材料,316L/镍基材料;内壁粗糙度Ra ≤0.1um;氦检漏率(真空法)≤1.0×10-9mbar·l/s;氧含量≤0.1ppm;水份含量≤0.1ppm;颗粒度,颗粒≥0.1um,每立方英尺≤1个。
技术攻关后希望达到的预期技术目标:
时间限制要求 2024-06-19
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